 Физикой я стал увлекаться с первого урока в пятом классе, мне было тогда 12 лет. Последние два класса школы я учился в физическом классе в школе №117 у замечательного преподавателя - Цикиновского Якова Петровича, затем поступил на физический факультет Одесского государственного университета им. И.И. Мечникова (1987-1992), получил диплом по специальности "Физика полупроводников и диэлектриков", учился в аспирантуре с 1992 по 1995 год. Еще во время учебы работал в лаборатории оптики НИЛ-3, затем в Научно-исследовательском институте физики ОГУ (ныне ОНУ), где написал дипломную работу и диссертацию. Работаю там по сегодняшний день старшим научным сотрудником в лаборатории ионных кристаллов и фотографических процессов. Предметом моих исследований является изучение электрических и фотоэлектрических свойств тонких поликристаллических пленок сульфида свинца, технологии их изготовления и изучение работы устройств на их основе. Инфракрасная техника в последние годы стала мощным инструментом научных исследований и получила широкое распространение во многих практических приложениях. Своим прогрессом она обязана появлению новых материалов, чувствительных в ИК-области спектра, и технологий их изготовления. В первую очередь это относится к тонкопленочным технологиям и многослойным полупроводниковым структурам. Приборы инфракрасной техники, использующие эти материалы в качестве активных элементов, служат для регистрации и преобразования излучения ИК-диапазона в аналоговые или цифровые сигналы, легко поддающиеся компьютерной обработке. Реализованная в подобных устройствах обратная связь превращает их в удобные элементы управления различными техническими системами и механизмами. С физикой и технологией тонких полупроводниковых пленок связаны достижения и перспективы развития микроэлектроники, оптики, приборостроения, оптоэлектроники. Одно из достойных мест в ряду узкозонных полупроводников, используемых для создания на их основе тонкопленочных детекторов, занимает сульфид свинца. Детекторы на его основе работают в спектральном интервале 0,6-3 мкм и интервале температур 77-350 К в зависимости от предъявляемых требований и особенностей их применения. В список наиболее распространенных областей применения ИК-фотоприемников на основе сульфида свинца (PbS) входят звездные, спектрографические датчики, медицинские, исследовательские инструменты, сортирующие, счетные, контролирующие приборы, регистраторы пламени, системы определения положения тепловых источников, управление ракетами, следящие системы, исследования в области летательных аппаратов, измерение мощности в лазерных системах. Большинство вышеперечисленных практических приложений ИК-фотоприемников сопряжено с использованием для преобразования информационных сигналов сложных электрических схем. В связи с этим дальнейшим шагом в развитии и усовершенствовании указанных ИК-фотоприемников является создание такой технологии, в процессе которой электрические схемы усиления, коммутации и обработки сигналов и ИК-фоточувствительная пленка были бы совмещены на единой подложке, например, кремнии. Сначала на кремнии при помощи фотолитографии формируются все необходимые электрические схемы, а затем в предусмотренном месте сверху наносится ИК-фоточувствительная пленка. Наличие такой технологии открывает принципиально новые возможности для использования ИК-фотоприемников в различных областях науки и техники и отвечает всем необходимым практическим требованиям современного уровня. Актуальность темы. В связи с вышеизложенным, в физике и технике узкозонных полупроводников актуальными являются следующие задачи: С научной точки зрения интересной представляется задача по определению механизма токопереноса и фоточувствительности пленок, нанесенных на кремниевые подложки. Это обусловлено тем, что на кремниевые подложки необходимо наносить пленки с различным потенциальным рельефом зон. В литературе же рассмотрены механизмы токопереноса и фоточувствительности только для пленок сульфида свинца с ярко выраженным потенциальным рельефом зон. С технической точки зрения важной задачей является создание технологии нанесения фоточувствительных в ИК-области спектра пленок на кремниевую подложку, содержащую электрические схемы усиления, коммутации и обработки информационных сигналов. Основными требованиями, предъявляемыми к таким структурам, являются высокая фоточувствительность, хорошая технологичность, легкая совместимость с внешними электрическими цепями коммутации и обработки сигнала, и, не в последнюю очередь, дешевизна изготовления. |
